• SQJA20EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 200V PWRPAK SO-8L der integrierten Schaltungen IC
SQJA20EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 200V PWRPAK SO-8L der integrierten Schaltungen IC

SQJA20EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 200V PWRPAK SO-8L der integrierten Schaltungen IC

Produktdetails:

Modellnummer: SQJA20EP-T1_GE3

Zahlung und Versand AGB:

Verpackung Informationen: Tape & Reel (TR)
Lieferzeit: 1-2 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: D/A, T/T, Western Union
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Detailinformationen

Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V Verlustleistung (max.): 68W (TC)
Paket/Fall: PowerPAK® SO-8 Befestigung der Art: Oberflächenberg
Verpacken: Tape & Reel (TR) Gerätepaket des Lieferanten: PowerPAK® SO-8

Produkt-Beschreibung

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Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: 3.5V @ 250µA
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Bleifreier Status/RoHS-Status: Bleifrei/RoHS konform
Ausführliche Beschreibung: Berg PowerPAK® SO-8 des N-Kanal-200V 22.5A (Tc) der Oberflächen-68W (Tc)
Fet-Eigenschaft: -
Feuchtigkeits-Empfindlichkeits-Niveau (MSL): 1 (unbegrenzt)
Fet-Art: N-Kanal
Reihe: Automobil, AEC-Q101, TrenchFET®
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Andere Namen: SQJA20EP-T1_GE3TR
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds: 1300pF @ 25V
Vgs (maximal): ±20V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: 50 mOhm @ 10A, 10V
Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: 27nC @ 10V
Betriebstemperatur: -55°C | 175°C (TJ)

Allgemeines Problem

Wir werden am Versehen von Kunden mit hochwertigen Produkt und Service festgelegt.
Q: Wie sich/Auftrag SQJA20EP-T1_GE3 zu erkundigen?
: Klicken Sie bitte „erhalten besten Preis“ und klicken dann „EINREICHEN“. Antrag-Zitat.
Q: Untersuchung/Auftrag SQJA20EP-T1_GE3, wie lang kann ich eine Antwort erhalten?
: Nachdem wir die Informationen erhalten haben, treten wir mit Ihnen durch E-Mail so bald wie möglich in Verbindung.
Q: Wie man nach der Einrichtung von SQJA20EP-T1_GE3 zahlt?
: Wir nehmen T/T (elektronisches Zahlungsverkehrsnetz), Paypal, Western Union an.

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