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SI4896DY-T1-E3 MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC der integrierten Schaltungen IC
Produktdetails:
| Modellnummer: | SI4896DY-T1-E3 |
Zahlung und Versand AGB:
| Verpackung Informationen: | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Lieferzeit: | 1-2 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen: | D/A, T/T, Western Union |
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Detailinformationen |
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| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 80V | Verlustleistung (max.): | 1,56 W (TA) |
|---|---|---|---|
| Paket/Fall: | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | Befestigung der Art: | Oberflächenberg |
| Verpacken: | Tape & Reel (TR) | Gerätepaket des Lieferanten: | 8-SO |
Produkt-Beschreibung
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| Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: | 2V @ 250µA (Minute) |
|---|---|
| Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Bleifreier Status/RoHS-Status: | Bleifrei/RoHS konform |
| Ausführliche Beschreibung: | Berg 8-SO des N-Kanal-80V 6.7A (Ta) der Oberflächen-1.56W (Ta) |
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Feuchtigkeits-Empfindlichkeits-Niveau (MSL): | 1 (unbegrenzt) |
| Fet-Art: | N-Kanal |
| Reihe: | TrenchFET® |
| Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C: | 6.7A (Ta) |
| Andere Namen: | SI4896DY-T1-E3TR SI4896DYT1E3 |
| Vgs (maximal): | ±20V |
| RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: | mOhm 16,5 @ 10A, 10V |
| Technologie: | MOSFET (Metalloxid) |
| Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: | 41nC @ 10V |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
Allgemeines Problem
Q: Wie sich/Auftrag SI4896DY-T1-E3 zu erkundigen?
: Klicken Sie bitte „erhalten besten Preis“ und klicken dann „EINREICHEN“. Antrag-Zitat.
Q: Untersuchung/Auftrag SI4896DY-T1-E3, wie lang kann ich eine Antwort erhalten?
: Nachdem wir die Informationen erhalten haben, treten wir mit Ihnen durch E-Mail so bald wie möglich in Verbindung.
Q: Wie man nach der Einrichtung von SI4896DY-T1-E3 zahlt?
: Wir nehmen T/T (elektronisches Zahlungsverkehrsnetz), Paypal, Western Union an.
